ON Semiconductor FDPF035N06B_F152

生命周期状态

EOL (Last Updated: 2 years ago)

工厂交货时间

1 Week

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

质量

2.270003 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Manufacturer Lifecycle Status

LIFETIME (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

56 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FDPF035N06B_F152

Turn-on Time-Max (ton)

150 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

178 ns

Risk Rank

5.24

Drain Current-Max (ID)

88 A

Manufacturer Package Code

340BF

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

46.3 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

46.3 W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

32 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

33 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

88 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

88 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0035 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

352 A

输入电容

8.03 nF

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

46.3 W

漏源电阻

2.91 mΩ

最大rds

3.5 mΩ

辐射硬化

无