ON Semiconductor FDPF8N50NZU

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

43 ns

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Tc

已出版

2013

系列

UniFET-II™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

735pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

上升时间

34ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26A

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

宽度

4.7mm

长度

10.16mm

高度

15.87mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无