ON Semiconductor FDS2070N7
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FDS2070N7
1807-FDS2070N7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
--最小包装量--
FDS2070N7详情
ON Semiconductor FDS2070N7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W Ta
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
150V
额定电流
4.1A
功率耗散
3W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
78mOhm @ 4.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1884pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
53nC @ 10V
上升时间
6ns
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
4.1A
阈值电压
2.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
150V
输入电容
1.884nF
漏源电阻
78mOhm
最大rds
78 mΩ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS2070N7拓展信息
ON Semiconductor
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