ON Semiconductor FDS2170N3
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FDS2170N3
1807-FDS2170N3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
--最小包装量--
FDS2170N3详情
ON Semiconductor FDS2170N3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
3W Ta
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
200V
额定电流
3A
功率耗散
3W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1292pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
输入电容
1.292nF
漏源电阻
128mOhm
最大rds
128 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS2170N3拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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