ON Semiconductor FDS4141
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FDS4141
1807-FDS4141
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Mosfet, p Ch, -40v, 0.011ohm, -10.8a, Soic-8, Full Reel
--最小包装量--
FDS4141详情
ON Semiconductor FDS4141重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
130mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
5W Ta
Turn Off Delay Time
42 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
13MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 10.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2670pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
49nC @ 10V
上升时间
2ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
-10.8A
阈值电压
-1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36A
雪崩能量等级(Eas)
294 mJ
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
-1.6 V
高度
1.75mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS4141拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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