ON Semiconductor FDS4141-F085
- 收藏
- 对比
FDS4141-F085
1807-FDS4141-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

ON SEMICONDUCTOR - FDS4141-F085 - MOSFET, P-CH, -40V, -10.8A, SOIC-8
--最小包装量--
FDS4141-F085详情
ON Semiconductor FDS4141-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 10.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2005pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.013Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36A
DS 击穿电压-最小值
40V
雪崩能量等级(Eas)
229 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDS4141-F085拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。