ON Semiconductor FDS4465-F085
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FDS4465-F085
1807-FDS4465-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
--最小包装量--
FDS4465-F085详情
ON Semiconductor FDS4465-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
230.4mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
300 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.5m Ω @ 13.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8237pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
120nC @ 4.5V
上升时间
24ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
140 ns
连续放电电流(ID)
13.5A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
DS 击穿电压-最小值
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDS4465-F085拓展信息
ON Semiconductor
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