ON Semiconductor FDS4675-F085
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FDS4675-F085
1807-FDS4675-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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ON SEMICONDUCTOR - FDS4675-F085 - MOSFET, P CH, -40V, -11A, SOIC-8
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FDS4675-F085详情
ON Semiconductor FDS4675-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
230.4mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta
Turn Off Delay Time
95 ns
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
已出版
2001
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.4W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4350pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56nC @ 4.5V
上升时间
46ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
96 ns
连续放电电流(ID)
-11A
阈值电压
-1.4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-40V
栅源电压
-1.4 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS4675-F085拓展信息
ON Semiconductor
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