ON Semiconductor FDS5672
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FDS5672
1807-FDS5672
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor FDS5672
--最小包装量--
FDS5672详情
ON Semiconductor FDS5672重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
130mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
10MOhm
电压 - 额定直流
60V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
12A
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
上升时间
20ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
12mA
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
4 V
高度
1.75mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS5672拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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