ON Semiconductor FDS6612A-NB5E029A

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

8-SOIC

Package

Tape & Reel (TR)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

厂商

onsemi

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.4A (Ta)

系列

PowerTrench®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

22mOhm @ 8.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.6 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-