注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.840004
10
¥12.113217
100
¥11.427561
500
¥10.780715
1000
¥10.170486
ON Semiconductor FDS6614A
- 收藏
- 对比
FDS6614A
1807-FDS6614A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDS6614A详情
ON Semiconductor FDS6614A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
130mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
30V
额定电流
9.3A
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 9.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1160pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 5V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
9.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS6614A拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。