ON Semiconductor FDS6681Z

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

130mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

660 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2005

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.6MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-20A

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.6m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7540pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

380 ns

连续放电电流(ID)

-20A

阈值电压

-1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

30V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1.8 V

高度

1.75mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅