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技术文档
型号
FDS6900S
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-FDS6900S
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET Dual NCh PowerTrench
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FDS6900S详情
技术参数
PDF文档
ON Semiconductor FDS6900S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
29 ns
Package Description
SO-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.32
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
6.9 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2 W
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
14 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
漏极-源极导通最大电阻
0.03 Ω
漏源击穿电压
30 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
30 mΩ
技术文档: ON Semiconductor FDS6900S.
FDS6900S拓展信息
公司资质
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