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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.10913
10
¥14.253895
100
¥13.447071
500
¥12.685912
1000
¥11.967842
ON Semiconductor FDS7066ASN3
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- 对比
FDS7066ASN3
1807-FDS7066ASN3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
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FDS7066ASN3详情
ON Semiconductor FDS7066ASN3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W Ta
Turn Off Delay Time
44 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
19A
功率耗散
3W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.8mOhm @ 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2460pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
19A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
2.46nF
漏源电阻
4.8mOhm
最大rds
4.8 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS7066ASN3拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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