ON Semiconductor FDS86267P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

130mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

255m Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1130pF @ 75V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

2.2A

JEDEC-95代码

MS-012AA

漏极-源极导通最大电阻

0.255Ohm

DS 击穿电压-最小值

150V

反馈上限-最大值 (Crss)

2.3 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant