ON Semiconductor FDS8842NZ
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FDS8842NZ
1807-FDS8842NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
--最小包装量--
FDS8842NZ详情
ON Semiconductor FDS8842NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
130mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14.9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
7MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7m Ω @ 14.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3845pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
73nC @ 10V
上升时间
7ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
14.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
反馈上限-最大值 (Crss)
330 pF
高度
1.575mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS8842NZ拓展信息
ON Semiconductor
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