ON Semiconductor FDT1600N10ALZ

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

质量

250.2mg

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

13.5 ns

Power Dissipation (Max)

10.42W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.6A Tc

已出版

2013

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

10.42W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 2.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.77nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14.8 ns

连续放电电流(ID)

5.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.16Ohm

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

9.2 mJ

宽度

3.7mm

长度

6.7mm

高度

1.7mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅