ON Semiconductor FDT434P

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

250.2mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

50mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-5.5A

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1187pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19nC @ 4.5V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

-600mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

双电源电压

20V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-600 mV

高度

1.8mm

长度

6.5mm

宽度

3.56mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅