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技术文档
型号
FDU6692
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-FDU6692
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
30V N-Channel PowerTrench MOSFET
起订量
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FDU6692详情
技术参数
PDF文档
ON Semiconductor FDU6692重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IPAK-3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
NOT APPLICABLE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.21
Part Package Code
TO-251AA
Drain Current-Max (ID)
54 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
0.012 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
162 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
165 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: ON Semiconductor FDU6692.
FDU6692拓展信息
公司资质
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