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'fdv045p20l'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

质量

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

配置

通道数量

元素配置

操作模式

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

产品类别

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

DS 击穿电压-最小值

反馈上限-最大值 (Crss)

产品类别

高度

长度

宽度

RoHS状态

FDV045P20L
FDV045P20L
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

表面贴装

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

30mg

SILICON

1.8V 4.5V

1

1.6W Ta

1.15A Ta

1.5V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

1 (Unlimited)

3

Tin (Sn)

DUAL

鸥翼

未说明

未说明

R-PDSO-G3

Single

增强型MOSFET

P-Channel

SWITCHING

108m Ω @ 1.15A, 4.5V

1220pF @ 10V

10nC @ 4.5V

20V

±8V

1.15A

0.108Ohm

20V

151 pF

ROHS3 Compliant

RNC55J32R0BS
RNC55J32R0BS
Vishay 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOT-23-3

20 V

1.5 V

1.6 W

P-Channel

+ 150 C

- 8 V, + 8 V

0.000282 oz

- 55 C

3000

SMD/SMT

Enhancement

onsemi

onsemi / Fairchild

10 nC

108 mOhms

Details

1.15 A

切割胶带

FDV045P20L

MOSFETs

Si

Single

1 Channel

MOSFET

MOSFET

1.2 mm

2.9 mm

1.3 mm