ON Semiconductor FDV045P20L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.15A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

108m Ω @ 1.15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1220pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.15A

漏极-源极导通最大电阻

0.108Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

反馈上限-最大值 (Crss)

151 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant