ON Semiconductor FDV301N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

SOT−23 (TO−236) CASE 318−08 ISSUE AR

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Ta

Turn Off Delay Time

3.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

4Ohm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

25V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

220mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

通道数量

1

电压

50V

元素配置

Single

电流

2A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350mW

接通延迟时间

3.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 400mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.06V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9.5pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.7nC @ 4.5V

上升时间

6ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

220mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

25V

双电源电压

25V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

850 mV

高度

1.11mm

长度

2.92mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅