ON Semiconductor FDW2509NZ

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

27 ns

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FDW2509NZ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TSSOP

Drain Current-Max (ID)

7.1 A

Package Description

TSSOP-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

TIN

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.6 W

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

15 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

7.1 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

漏极-源极导通最大电阻

0.02 Ω

漏源击穿电压

20 V

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

20 mΩ