FDY101PZ
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ON Semiconductor FDY101PZ

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型号

FDY101PZ

utmel 编号

1807-FDY101PZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-89, SOT-490

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET

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FDY101PZ ON Semiconductor MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET

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FDY101PZ详情

ON Semiconductor FDY101PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-89, SOT-490

  • 引脚数

    3

  • 质量

    30mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    150mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    625mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    8 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    625mW

  • 接通延迟时间

    6 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    8 Ω @ 150mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    100pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.4nC @ 4.5V

  • 上升时间

    13ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    13 ns

  • 连续放电电流(ID)

    150mA

  • 阈值电压

    -1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    8Ohm

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 高度

    780μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    980μm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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