ON Semiconductor FDZ294N
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FDZ294N
1807-FDZ294N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
9-VFBGA
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MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA
1最小包装量--
FDZ294N详情
ON Semiconductor FDZ294N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
9-VFBGA
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
引脚数
9
供应商器件包装
9-BGA (1.5x1.6)
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta
Turn Off Delay Time
14 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2005
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
6A
元素配置
Single
功率耗散
1.7W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
23mOhm @ 6A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
670pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
670pF
漏源电阻
18mOhm
最大rds
23 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDZ294N拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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