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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.656169
10
¥12.883177
100
¥12.153939
500
¥11.46598
1000
¥10.816965
ON Semiconductor FDZ294N
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- 对比
FDZ294N
1807-FDZ294N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
9-VFBGA
大陆
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MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDZ294N详情
ON Semiconductor FDZ294N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
9-VFBGA
引脚数
9
供应商器件包装
9-BGA (1.5x1.6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
6A
元素配置
Single
功率耗散
1.7W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
23mOhm @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
670pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
670pF
漏源电阻
18mOhm
最大rds
23 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDZ294N拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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