ON Semiconductor FGB20N6S2DT

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

TO-263AB, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

11.5 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

205 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FGB20N6S2DT

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.75

Part Package Code

D2PAK

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

附加功能

低导通损耗

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大耗散功率(Abs)

125 W

集电极电流-最大值(IC)

28 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5 V

最大下降时间 (tf)

105 ns

达到SVHC

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