ON Semiconductor FJN4301RBU
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FJN4301RBU
1807-FJN4301RBU
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
1最小包装量--
FJN4301RBU详情
ON Semiconductor FJN4301RBU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT APPLICABLE
基本部件号
FJN4301
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
300mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
200MHz
频率转换
200MHz
电阻基(R1)
4.7 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
4.7 k Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
FJN4301RBU拓展信息
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