ON Semiconductor FODM8061R2V

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SOIC (0.173, 4.40mm Width), 5 Leads

引脚数

5

质量

181.33333mg

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~110°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

cmos 兼容

最大功率耗散

100mW

电压 - 供电

3V~5.5V

电压-隔离度

3750Vrms

输出类型

Open Collector, Schottky Clamped

配置

SINGLE

通道数量

1

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.45V

传播延迟

80 ns

输入类型

DC

光电子器件类型

逻辑IC输出光耦合器

数据率

10Mbps

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

20ns

下降时间（典型值）

10 ns

上升/下降时间(Typ)

20ns 10ns

传播延迟（最大延迟差）

80ns, 80ns

共模瞬态抗扰度(最小)

20kV/μs

输入侧1/侧2

1/0

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅