ON Semiconductor FQA13N50CF

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Tc

Power Dissipation (Max)

218W Tc

Turn Off Delay Time

130 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Number of Elements

1

系列

FRFET®

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

480MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

快速切换

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

218W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

480m Ω @ 7.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2055pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 10V

上升时间

100ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

860 mJ

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅