ON Semiconductor FQA13N50C-F109

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

218W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

480m Ω @ 6.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2055pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

13.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.48Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

54A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

860 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant