ON Semiconductor FQA9N90C-F109

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

280W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2007

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

280W

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 10V

上升时间

120ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

9A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏源击穿电压

900V

雪崩能量等级（Eas）

900 mJ

高度

18.9mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant