ON Semiconductor FQAF11N90

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

120W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

960m Ω @ 3.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

94nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

900V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

1.1Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

DS 击穿电压-最小值

900V

雪崩能量等级（Eas）

960 mJ