ON Semiconductor FQAF16N50

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

引脚数

3

质量

6.962g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

130 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

500V

额定电流

11.3A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

45 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

320m Ω @ 5.65A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 10V

上升时间

180ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

11.3A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45.2A

雪崩能量等级（Eas）

980 mJ

高度

16.7mm

长度

15.7mm

宽度

5.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅