ON Semiconductor FQAF7N60

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQAF7N60

Drain Current-Max (ID)

5.7 A

Part Package Code

TO-3PF

Risk Rank

5.83

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.7 A

漏极-源极导通最大电阻

1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22.8 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

580 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

83 W