ON Semiconductor FQB27N25TM

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

80 ns

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

FQB27N25TM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Part Package Code

TO-263

Drain Current-Max (ID)

25.5 A

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.13 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

270 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

25.5 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.11 Ω

漏源击穿电压

250 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

102 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

110 mΩ