ON Semiconductor FQB6N50

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQB6N50

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.28

Part Package Code

TO-263

Drain Current-Max (ID)

5.5 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5 A

漏极-源极导通最大电阻

1.3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

340 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

98 W