ON Semiconductor FQB6N90TM

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Drain Current-Max (ID)

5.8 A

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Manufacturer Part Number

FQB6N90TM

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Part Package Code

TO-263

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.29

Rohs Code

无

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

1.9 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

23.2 A

DS 击穿电压-最小值

900 V

雪崩能量等级（Eas）

712 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR