ON Semiconductor FQB85N06TM

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

85

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Drain Current-Max (ID)

85 A

Part Package Code

TO-263

Risk Rank

5.38

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

FQB85N06TM

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.01 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR