ON Semiconductor FQD12N20LTM-F085P

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 55W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

不用于新设计

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

280m Ω @ 4.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1080pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V