ON Semiconductor FQD2N60CTF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 44W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2016

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

600V

额定电流

1.9A

电压

650V

元素配置

Single

电流

18A

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7 Ω @ 950mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

235pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

1.9mA

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

高度

2.3mm

长度

6.6mm

宽度

6.1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅