ON Semiconductor FQD3N60CTM

底架

表面贴装

表面安装

YES

介电材料

Tantalum

质量

5.499807 mg

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

50 V

RoHS

Compliant

Package Description

DPAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FQD3N60CTM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.38

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

2.4 A

容差

10 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

SMD/SMT

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

电容量

3.3 nF

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

深度

1.25 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

箱码（公制）

2012

箱码（英制）

0805

电介质

X7R

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

3.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.6 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

宽度

1.25 mm

高度

1.45 mm

长度

2 mm

无铅

无铅