ON Semiconductor FQD4P40TM-AM002

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

质量

260.37mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 50W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.1Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.1 Ω @ 1.35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

680pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

上升时间

55ns

漏源电压 (Vdss)

400V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

37 ns

连续放电电流(ID)

2.7A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

-400V

RoHS状态

符合RoHS标准