ON Semiconductor FQD5N20LTF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 37W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

200V

额定电流

3.8A

元素配置

Single

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 1.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

325pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.2nC @ 5V

上升时间

90ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

3.8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅