ON Semiconductor FQE10N20CTU

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

供应商器件包装

TO-126-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

12.8W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

360mOhm @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V