ON Semiconductor FQH44N10-F133

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

48A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

180W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

180W

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

39m Ω @ 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62nC @ 10V

上升时间

190ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

48A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.039Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

192A

雪崩能量等级（Eas）

530 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant