ON Semiconductor FQI1P50TU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 63W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-500V

额定电流

-1.5A

元素配置

Single

功率耗散

3.13W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5 Ω @ 750mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

1.5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

-500V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅