ON Semiconductor FQI2N80TU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

供应商器件包装

I2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 85W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

800V

额定电流

2.4A

元素配置

Single

功率耗散

3.13W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.3Ohm @ 900mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

2.4A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

输入电容

550pF

漏源电阻

4.9Ohm

最大rds

6.3 Ω

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅