ON Semiconductor FQI8N60CTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

质量

2.084g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 147W Tc

Turn Off Delay Time

81 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

额定电流

8A

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.13W

接通延迟时间

16.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 3.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1255pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

60.5ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

64.5 ns

连续放电电流(ID)

7.5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅