注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥72.980912
10
¥68.849914
100
¥64.952755
500
¥61.276183
1000
¥57.807717
ON Semiconductor FQL40N50F
- 收藏
- 对比
FQL40N50F
1807-FQL40N50F
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-264-3, TO-264AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FQL40N50F详情
ON Semiconductor FQL40N50F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
5 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
质量
6.756g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
460W Tc
Turn Off Delay Time
350 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
FRFET®
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
110mOhm
电压 - 额定直流
500V
额定电流
40A
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
460W
接通延迟时间
140 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
110m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
200nC @ 10V
上升时间
440ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
250 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
500V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FQL40N50F拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






哦! 它是空的。