ON Semiconductor FQP13N50C

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

195W Tc

Turn Off Delay Time

130 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

480mOhm

电压 - 额定直流

500V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

13A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

195W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

480m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2055pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 10V

上升时间

100ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

13A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

双电源电压

500V

雪崩能量等级（Eas）

860 mJ

栅源电压

4 V

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅