ON Semiconductor FQP50N06

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

120W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

22mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

额定电流

50A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

120W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1540pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 10V

上升时间

105ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

50A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

雪崩能量等级（Eas）

490 mJ

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅